主要科研成果

[1] J. Guo, J. Tao, Z. Zhang, L. Fei, D. Li, J. Jadwiszczak, X. Wang, Y. Guo, X. Liao, Y. Zhou, "Controllable Thermal Oxidation and Photoluminescence Enhancement in Quasi-1D van der Waals ZrS3 Flakes," ACS Applied Electronic Materials (2020). （通讯作者）

[2] J. Jadwiszczak, D. Keane, P. Maguire, C. P. Cullen, Y. Zhou, H. Song, C. Downing, D. Fox, N. McEvoy, R. Zhu, J. Xu, G. S. Duesberg, Z.-M. Liao, J. J. Boland, H. Zhang, "MoS2 Memtransistors Fabricated by Localized Helium Ion Beam Irradiation," ACS Nano (2019), 13(12), 14262-14273.（共同通讯作者，SCI 1区，IF=13.903）

[3] Y. Zhou, J. Jadwiszczak, D. Keane, Y. Chen, D. Yu, H. Zhang, "Programmable graphene doping via electron beam irradiation," Nanoscale (2017), 9, 8657 - 8664.（第一作者，SCI 2区，IF=6.9）

[4] Y. B. Zhou, D. S. Fox, P. Maguire, R. O’Connell, R. Masters, C. Rodenburg, H. C. Wu, M. Dapor, Y. Chen, H. Z. Zhang, "Quantitative secondary electron imaging for work function extraction at atomic level and layer identification of graphene," Scientific Reports (2016), 6, 21045. （第一作者，SCI 3区，IF=4.0）

[5] Y. Zhou, P. Maguire, J. Jadwiszczak, M. Muruganathan, H. Mizuta, H. Zhang, "Precise milling of nano-gap chains in graphene with a focused helium ion beam," Nanotechnology (2016), 27(32), 325302. （第一作者，SCI 2区，IF=3.4）

在研基金项目简介

“氮化硼一维结构埃纳尺度精准加工下的性能调控”。国家自然科学基金（地区项目）

简介：在二维氮化硼中引入纳米带等一维结构可以调制其能带结构，并有望引起导电性的改变。然而该理论预期至今缺乏实验验证，其关键原因是难以可控获得高质量的氮化硼纳米带。我们拟聚焦离子束直写刻蚀技术，针对二维材料发展一种精准可控的直写刻蚀加工手段，从而实现尺寸、边缘均可控的高质量氮化硼纳米带的制备，并研究及相关物理性质，以此发展基于氮化硼纳米结构的纳电子原型器件。