主要科研成果

1） Feng Deng, Zhi-Jue Quan*, Yi Xu, Jiang-Dong Gao, Chang-Da   Zheng, Xiao-Ming Wu, Jian-Li Zhang, Xiao-Lan Wang, Chun-Lan Mo, and Jun-Lin   Liu，Effect of hole   blocking layer on V-pit hole injection and internal quantum efficiency in   GaN-based yellow LED，J. Appl. Phys. 127, 185704 (2020)

2） 潘洪英，全知觉*；p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究,物理学报，68(19), 196103 (2019)

3） 全知觉；陶喜霞；徐龙权；丁杰；莫春兰；张建立；王小兰；刘军林；江风益；一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，2019/10/10授权，中国，ZL201710286225.1

4） 全知觉；陶喜霞；徐龙权；丁杰；莫春兰；张建立；王小兰；刘军林；江风益；一种AlInGaN基绿、黄光发光二极管的外延结构，2019/9/24授权，中国， ZL201710286224.7

5） 全知觉；刘军林；吴小明；江风益；一种AlInGaN薄膜的外延结构及生长方法，2017/1/18授权,中国，ZL201410219231.1

在研国家基金项目简介

氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究；项目号：11674147；直接经费66万；执行年限：2017.01-2020.12.

简介：

该项目主要是采用理论与实验相结合的方法，研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响，建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型；提出了“对于GaN基LED来说，并不是位错密度越少量子效率越高，而是位错密度存在最优值”的观点，补充解释了“为什么GaN基LED有如此高的位错密度，却仍可获得高量子效率”这一困扰学术界的难题。目前，我们建立的有关 V 坑空穴注入的理论模型，已经被越来越多的同行所认可（单篇论文正面他引 已22 次）；同时也使得 V 坑变得如此重要，以至于 GaN 基长波长 LED 的研究已经无法绕开 V 坑这个话题。