主要科研成果

代表性论文：

[1] GAO J-D, ZHANG J-L, QUAN Z-J, et al. Effect of Horizontal p-n Junction on Optoelectronics Characteristics in InGaN-Based Light-Emitting Diodes with V-shaped Pits[J]. Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53(33): 335103. （第一作者 / SCI三区 / IF 3.207）

[2] GAO J-D, ZHANG J-L, ZHU X, et al. Detailed surface analysis of V-defects in GaN films on patterned silicon(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition[J]. Journal of Applied Crystallography, 2019, 52(3): 637-642. （第一作者 / SCI二区 / IF 3.304）

[3] LV Q, GAO J, TAO X, et al. Analysis of dominant non-radiative recombination mechanisms in InGaN green LEDs grown on silicon substrates[J]. Journal of Luminescence, 2020, 222: 117186. （第一作者 / SCI二区 / IF 3.599）

已授权发明专利：

[1] 高江东, 张建立, 江风益. 一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层: 中国, ZL202010026871.6[P/OL]. [2020-01-10].

在研基金项目简介

铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究

简介：由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象，使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场，造成发光效率下降；本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析，获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息，进而估计电子与空穴的有效复合区大小。该项研究的意义在于，以往的铟镓氮发光二极管光效评估标准中不能直接体现器件内部电学结构设计情况，本项研究可以弥补这一缺点，这对今后检验铟镓氮发光二极管的发光区结构设计合理性具有重要的参考作用。